一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体类似器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）构成。五个部分意义如下：第一部分：用数字回应半导体器件有效地电极数目。2－二极管、3－三极管第二部分：用汉语拼音字母回应半导体器件的材料和极性。
回应二极管时：A－N型锗材料、B－P型锗材料、C－N型硅材料、D－P型硅材料。回应三极管时：A－PNP型锗材料、B－NPN型锗材料、C－PNP型硅材料、D－NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母回应半导体器件的内型。P－普通管、V－微波管、W－稳压管、C－参量管、Z－整流管、L－整流填、S－隧道管、N－阻尼管、U－光电器件、K－电源管、X－低频小功率管（F3MHz，Pc1W）、A－高频大功率管（f＞3MHz，Pc＞1W）、T－半导体晶闸管（高效率整流器）、Y－体效应器件、B－雪崩管、J－阶跃完全恢复管、CS－场效应管、BT－半导体类似器件、FH－复合管、PIN－PIN型管、JG－激光器件。
第四部分：用数字回应序号第五部分：用汉语拼音字母回应规格号例如：3DG18回应NPN型硅材料高频三极管二、日本生产的半导体分立器件由五至七部分构成。一般来说要用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字回应器件有效地电极数目或类型。0－光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的人组管、1－二极管、2三极或具备两个pn拢的其他器件、3－具备四个有效地电极或具备三个pn拢的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA登记标志。S－回应已在日本电子工业协会JEIA登记注册的半导体分立器件。第三部分：用字母回应器件用于材料极性和类型。
A－PNP型高频管、B－PNP型低频管、C－NPN型高频管、D－NPN型低频管、F－P掌控近于可控硅、G－N掌控近于可控硅、H－N基极单结晶体管、J－P闸极场效应管、K－N闸极场效应管、M－双向可控硅。第四部分：用数字回应在日本电子工业协会JEIA注册的顺序号。两位以上的整数－从“11”开始，回应在日本电子工业协会JEIA注册的顺序号；有所不同公司的性能完全相同的器件可以用于同一顺序号；数字越大，越是近期产品。
第五部分：用字母回应同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F回应这一器件是原型号产品的改良产品。
美国半导体分立器件型号命名方法三、美国晶体管或其他半导体器件的命名法较恐慌。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：第一部分：用符号回应器件用途的类型。JAN－军级、JANTX－特军级、JANTXV－超特军级、JANS－宇航级、（无）－非军用品。第二部分：用数字回应pn结数目。
1－二极管、2＝三极管、3－三个pn结器件、n－n个pn结器件。第三部分：美国电子工业协会（EIA）登记标志。
N－该器件已在美国电子工业协会（EIA）登记注册。第四部分：美国电子工业协会注册顺序号。多位数字－该器件在美国电子工业协会注册的顺序号。
第五部分：用字母回应器件分档。A、B、C、D、┄┄－同一型号器件的有所不同档别。如：JAN2N3251A回应PNP硅高频小功率电源三极管，JAN－军级、2－三极管、N－EIA登记标志、3251－EIA注册顺序号、A－2N3251A档。四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都使用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。
这种命名方法由四个基本部分构成，各部分的符号及意义如下：第一部分：用字母回应器件用于的材料。A－器件用于材料的禁带宽度Eg＝0．6～1．0eV如锗、B－器件用于材料的Eg＝1．0～1．3eV如硅、C－器件用于材料的Eg＞1．3eV如砷化镓、D－器件用于材料的Eg＜0．6eV如锑化铟、E－器件用于复合材料及光电池用于的材料第二部分：用字母回应器件的类型及主要特征。A－检波电源混频二极管、B－变容二极管、C－低频小功率三极管、D－低频大功率三极管、E－隧道二极管、F－高频小功率三极管、G－填充器件及其他器件、H－磁敏二极管、K－对外开放磁路中的霍尔元件、L－高频大功率三极管、M－堵塞磁路中的霍尔元件、P－光敏器件、Q－闪烁器件、R－小功率晶闸管、S－小功率电源管、T－大功率晶闸管、U－大功率电源管、X－大幅提高二极管、Y－整流二极管、Z－稳压二极管。
第三部分：用数字或字母特数字回应登记号。三位数字－代表标准化半导体器件的注册序号、一个字母特二位数字－回应专用半导体器件的注册序号。
第四部分：用字母对同一类型号器件展开分档。A、B、C、D、E┄┄－回应同一型号的器件按某一参数展开分档的标志。除四个基本部分外，有时还特后缀，以区别特性或更进一步分类。少见后缀如下：1、稳压二极管型号的后缀。
其后缀的第一部分是一个字母，回应平稳电压值的允许误差范围，字母A、B、C、D、E分别回应允许误差为±1％、±2％、±5％、±10％、±15％；其后缀第二部分是数字，回应标称平稳电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称平稳电压的小数值。2、整流二极管后缀是数字，回应器件的仅次于偏移峰值耐压值，单位是伏特。3、晶闸管型号的后缀也是数字，一般来说标示仅次于偏移峰值耐压值和仅次于偏移变频器电压中数值较小的那个电压值。如：BDX51－回应NPN硅低频大功率三极管，AF239S－回应PNP锗高频小功率三极管。
五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法欧洲有些国家，如德国、荷兰使用如下命名方法。第一部分：O－回应半导体器件第二部分：A－二极管、C－三极管、AP－光电二极管、CP－光电三极管、AZ－稳压管、RP－光电器件。第三部分：多位数字－回应器件的注册序号。
第四部分：A、B、C┄┄－回应同一型号器件的变型产品。关于云创软闻云创软闻是国内最不具特色的电子工程师社区，融合了行业资讯、社群对话、培训自学、活动交流、设计与生产分包等服务，以开放式硬件创意技术交流和培训服务为核心，相连了多达30万工程师和产业链上下游企业，探讨电子行业的科技创新，单体最有一点注目的产业链资源，致力于为百万工程师和创意创业型企业打造出一站式公共设计与生产服务平台。
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